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我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

文章作者:phpcms 上传更新:2019-03-12
近日,863计划先进制造技术领域“大型SiC材料与器件制造设备及手机赌博网站研究”项目通过技术验收。 TR 本文参考地址:http://www.eepw.com.cn/article/201710/370473.htm
通常,诸如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的宽带隙半导体材料被称为第三代半导体材料。由于第三代半导体材料,它在禁带宽度,击穿场强,电子饱和漂移速度和导热性等综合物理性能方面具有更加突出的综合优势,特别是在高耐压和耐高温方面。制造设备对设备真空度,高温加热性能,温度控制精度,高性能温度场分布,设备可靠性等设备SiC单晶基板质量和产量关键技术有很高的要求。限制。中国第三代半导体材料的规模和产业化。 TR 由新疆天科赫达蓝光半导体有限公司牵头的国家863计划资助,中国科学院物理研究所,半导体研究所和浙江大学的研发团队成功制定了要求用于制造高压SiC功率电子器件。 4-6英寸SiC单晶生长炉的关键设备已形成中国具有自主知识产权的4-6英寸SiC单晶生长炉关键设备系统。开发的4-6英寸通用SiC单晶炉实现了“零微管”(微管密度)
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